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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
47
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
3908
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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