RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
47
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
3437
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link