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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
47
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2984
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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