RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
47
En -74% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2426
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5471-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link