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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
47
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
3742
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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