RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
47
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
29
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
3501
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link