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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
47
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
22
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
3035
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
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