Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Kingston 9965589-007.D01G 8GB

Puntuación global

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Puntuación global

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

10.4 9.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

7.8 7.6

Valor medio en las pruebas

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

Razones a tener en cuenta
Kingston 9965589-007.D01G 8GB

Informar de un error

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

35 47

En -34% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 12800

En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston 9965589-007.D01G 8GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR4
Latencia en PassMark, ns

47 35
Velocidad de lectura, GB/s

10.4 9.1
Velocidad de escritura, GB/s

7.8 7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps

12800 17000

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2169 2078

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB

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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB

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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

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Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB

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