RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
47
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2663
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link