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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
47
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
1997
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
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