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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
47
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2876
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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