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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
47
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2774
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
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