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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
47
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2271
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
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