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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
47
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
46
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2717
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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