RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
47
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
46
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
2717
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link