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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
47
En -74% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
27
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
3963
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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