RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Compara
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Puntuación global
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
47
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.3
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.4
21.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2169
3610
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link