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Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Compara
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.5
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2580
4095
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
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