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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
55
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
55
36
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2424
3426
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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