RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3155
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
Kingston 9965439-070.A00LF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link