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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
34
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3505
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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