RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
33
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.4
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2804
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link