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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
34
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
34
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3041
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
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