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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3784
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Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
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