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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
1847
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
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