RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3972
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link