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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3666
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
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