RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3759
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link