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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3825
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
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