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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
33
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2949
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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