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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
33
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
22
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3174
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
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