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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2646
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
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Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
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