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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
33
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
23
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2709
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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