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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
74
En 55% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
74
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
1714
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
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