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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
33
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2947
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
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