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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
35
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2559
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
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