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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
38
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2841
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
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