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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3040
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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