RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
40
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
40
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2031
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link