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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
46
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
46
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3168
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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