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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
56
En 41% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
56
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2071
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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