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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
27700
10600
En 2.61 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
27700
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3539
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
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