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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
58
En 43% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
58
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2658
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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