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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
33
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
22
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3254
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
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Kingston 9905678-173.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
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