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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
36
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2466
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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Kingston 9905713-019.A00G 4GB
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Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
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