RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
33
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3082
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link