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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
35
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
35
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3127
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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