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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2969
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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