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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
52
En 37% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
52
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2625
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
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