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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
83
En 60% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
83
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
1774
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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