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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
31
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
3444
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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